证券市场周刊AI快报，锴威特（688693.SH）发布了2025年年度报告，报告期内实现营业总收入2.55亿元，同比增长95.62%；归属于母公司所有者的净利润为-9078.26万元，同比减亏6.59%；经营性现金流净额为-9523.73万元。受全球经济增速放缓及行业竞争加剧影响，公司产品售价与毛利率承压，但通过优化产品组合、迭代工艺平台及拓展市场实现了销售规模的大幅增长。由于持续加大研发投入以覆盖全品类功率器件芯片，推动功率IC及第三代半导体产品的系列化与成本优化，短期营收尚无法覆盖中长期战略投入带来的成本费用增加。根据审计结果，公司2025年度不进行利润分配。

作为国家高新技术企业、国家级专精特新"小巨人"企业，锴威特在功率器件领域已形成低压、中压、高压全系列产品线，新获授权发明专利22项，集成电路布图设计专有权18项。公司SiCMOSFET产品升级至第3代技术平台，将1200V SiCMOS Ronsp降低至3.0mR•cm²以下，并研发了集成SBD的SiCMOSFET解决寄生二极管缺陷问题。最新业务方面，公司与晶圆代工厂合作开发了750V至3300V SiCMOSFET生产工艺平台，其中1200V平台已进入中试阶段；推出针对电动工具领域的65V三相半桥驱动IC和工业伺服市场的250V三相半桥驱动IC，同时开展SiCMOSFET专用驱动IC研发。在电源管理领域，公司推出的理想二极管控制IC耐压等级达+/-150V，为目前国内外最高水平。